Компания NEC представила фундаментальную технологию создания оптических соединений в чипах. Новая разработка заключается в использовании специально разработанного сверхминиатюрного усилителя в комплекте с ранее разработанным фотодиодом на базе кремниевой полупроводниковой наноструктурой (Si nano-photodiode).
Таким образом, сечение фокуса луча удалось уменьшить до 10 нм, что обещает прорыв в области оптоэлектронных технологий внутричиповых соединений. По сравнению с существующими оптическими соединениями в LSI-микрочипах, новая система отличается большей пропускной способностью при меньшем энергопотреблении; более того толщина одного соединения менее чем 1 нм. По материалам techon.nikkeibp.co.jp .
Инф. 3DNews
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
