Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке первой в мире микросхемы оперативной памяти DDR3 (Double-Data-Rate) DRAM.
Как сообщается в пресс-релизе, чип объемом 512 Мбит обеспечивает возможность передачи информации со скоростью 1066 Мбит/с, что вдвое превышает аналогичный показатель для микросхем DDR2. При разработке прототипа использовалась 80-нанометровая технология. При этом рабочее напряжения чипа DDR3 DRAM составляет всего 1,5 В, что обеспечивает более низкое энергопотребление по сравнению с применяющейся в настоящее время памятью DRAM.
Ожидается, что в продажу микросхемы памяти DDR3 DRAM поступят в начале 2006 года. А к 2009 году, согласно прогнозам аналитиков IDC, на такие чипы будут приходиться порядка 65 процентов мирового рынка DRAM-памяти. Модули DDR3 DRAM планируется использовать в ноутбуках, настольных компьютерах и серверах.
Нужно отметить, что не так давно компания Samsung начала массовый выпуск сверхбыстродействующей оперативной памяти XDR DRAM (eXtreme Data Rate) с пропускной способностью до 8 Гбит/с. Модули XDR DRAM ориентированы, прежде всего, на мощные мультимедийные компьютеры, игровые приставки, цифровые телевизоры, серверы и рабочие станции. Инф. Computerra
e-news.com.ua
|
Новости рубрики:
Dell a licencié 12 000 employés en un an : causes et conséquences
![]() Construction of a new industrial park is underway in Ternopil region ![]() Wietnam otwiera drzwi do satelitarnego internetu Starlink ![]() Boom des véhicules électriques : quelles régions d'Ukraine sont en tête des immatriculations de voitures électriques en février ![]() Energieministerium implementiert Antikorruptionsprogramm: Schlüsselprioritäten und Maßnahmen ![]() Україна робить кроки до енергонезалежності: бізнес подав 3,8 тисячі заявок на пільгові кредити ![]() Gwarancje państwowe dla biznesu: 2,8 mld UAH pożyczek udzielonych w lutym ![]() Pensions in Ukraine have increased: how payments changed in 2025 ![]() |
