Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке первой в мире микросхемы оперативной памяти DDR3 (Double-Data-Rate) DRAM.
Как сообщается в пресс-релизе, чип объемом 512 Мбит обеспечивает возможность передачи информации со скоростью 1066 Мбит/с, что вдвое превышает аналогичный показатель для микросхем DDR2. При разработке прототипа использовалась 80-нанометровая технология. При этом рабочее напряжения чипа DDR3 DRAM составляет всего 1,5 В, что обеспечивает более низкое энергопотребление по сравнению с применяющейся в настоящее время памятью DRAM.
Ожидается, что в продажу микросхемы памяти DDR3 DRAM поступят в начале 2006 года. А к 2009 году, согласно прогнозам аналитиков IDC, на такие чипы будут приходиться порядка 65 процентов мирового рынка DRAM-памяти. Модули DDR3 DRAM планируется использовать в ноутбуках, настольных компьютерах и серверах.
Нужно отметить, что не так давно компания Samsung начала массовый выпуск сверхбыстродействующей оперативной памяти XDR DRAM (eXtreme Data Rate) с пропускной способностью до 8 Гбит/с. Модули XDR DRAM ориентированы, прежде всего, на мощные мультимедийные компьютеры, игровые приставки, цифровые телевизоры, серверы и рабочие станции. Инф. Computerra
e-news.com.ua
|
Новости рубрики:
Ноти для аграріїв
Augmentation de la production d'acier en Ukraine : dynamique en avril Sweden supports Ukraine: 28 million euros have been allocated for defense capability TikTok będzie oznaczać obrazy i filmy wygenerowane przez sztuczną inteligencję Ukrenergo : plans pour 2024 et résolution des problèmes du marché d'équilibrage Coffeeshop-Markt in der Ukraine: 35 % Wachstum im April 2024 Weapons for protection: Ukraine expands access to the soft lending program USAID надає понад $190 млн для підтримки енергетичного сектора України |