Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке первой в мире микросхемы оперативной памяти DDR3 (Double-Data-Rate) DRAM.
Как сообщается в пресс-релизе, чип объемом 512 Мбит обеспечивает возможность передачи информации со скоростью 1066 Мбит/с, что вдвое превышает аналогичный показатель для микросхем DDR2. При разработке прототипа использовалась 80-нанометровая технология. При этом рабочее напряжения чипа DDR3 DRAM составляет всего 1,5 В, что обеспечивает более низкое энергопотребление по сравнению с применяющейся в настоящее время памятью DRAM.
Ожидается, что в продажу микросхемы памяти DDR3 DRAM поступят в начале 2006 года. А к 2009 году, согласно прогнозам аналитиков IDC, на такие чипы будут приходиться порядка 65 процентов мирового рынка DRAM-памяти. Модули DDR3 DRAM планируется использовать в ноутбуках, настольных компьютерах и серверах.
Нужно отметить, что не так давно компания Samsung начала массовый выпуск сверхбыстродействующей оперативной памяти XDR DRAM (eXtreme Data Rate) с пропускной способностью до 8 Гбит/с. Модули XDR DRAM ориентированы, прежде всего, на мощные мультимедийные компьютеры, игровые приставки, цифровые телевизоры, серверы и рабочие станции. Инф. Computerra
e-news.com.ua
|
Новости рубрики:
Trump et les marchés boursiers : comment les 50 premiers jours de son second mandat ont affecté les milliardaires
![]() Neue NBU-Initiative zur Stärkung der Informationssicherheit im Finanzsektor ![]() SkyUp Airlines expands fleet with new Boeing 737-800 aircraft ![]() Die Verkehrsstaus auf Kiews Straßen haben zugenommen: Wo herrscht der stärkste Verkehr? ![]() W Kijowie zakazano ewakuacji samochodów prywatnych podczas nalotów ![]() So können Unternehmen in Frontregionen unterstützt werden: Vorschläge der European Business Association ![]() Salaries for non-technical IT professionals in 2025: who earns the most ![]() Україна посіла перше місце серед світових імпортерів основних видів озброєнь ![]() |
