• Головна / Main Page
  • СТРІЧКА НОВИН / Newsline
  • АРХІВ / ARCHIVE
  • RSS feed
  • Революционный углеродный транзистор

    Опубликовано: 2007-02-15 10:30:52
    новый транзистор (изображение из журнала New Scientist)
    новый транзистор (изображение из журнала New Scientist)

    Группа исследователей под руководством Макса Лемме (Max Lemme) из немецкого Gesellschaft fur Angewandte Mikro- und Optoelektronik mbH (AMO) создала полевые транзисторы, в которых используется так называемый монослой углерода (слой толщиной в один атом). От обычных канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), в которых используется кремний и структура «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI), новые приборы, по словам ученых, отличает «значительно улучшенная подвижность электронов и дырок».

     

    AMO пока не раскрывает количественные показатели «углеродного транзистора», но обещает, что первые результаты экспериментов будут опубликованы в апрельском сборнике IEEE Electron Device Letters, в статье под заголовком «A graphene field effect device».

     

    Создание «углеродного транзистора» - результат работ по программе Alegra, финансируемой немецким правительством. Если удастся интегрировать созданную разработку в кремниевую технологию, потенциал которой, как принято считать, подходит к исчерпанию, отрасль может претерпеть революционные изменения, утверждают в AMO.

     

    Примечательно, что для изготовления экспериментального прибора был задействован техпроцесс, совместимый с CMOS.

     

    iXBT

     

    e-news.com.ua

    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с E-NEWS.COM.UA активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Деловые новости E-NEWS.COM.UA" обязательна.



    При использовании материалов сайта в печатном или электронном виде активная ссылка на www.e-news.com.ua обязательна.