Революционный углеродный транзистор

15 фев, 10:30

Группа исследователей под руководством Макса Лемме (Max Lemme) из немецкого Gesellschaft fur Angewandte Mikro- und Optoelektronik mbH (AMO) создала полевые транзисторы, в которых используется так называемый монослой углерода (слой толщиной в один атом). От обычных канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), в которых используется кремний и структура «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI), новые приборы, по словам ученых, отличает «значительно улучшенная подвижность электронов и дырок».

 

AMO пока не раскрывает количественные показатели «углеродного транзистора», но обещает, что первые результаты экспериментов будут опубликованы в апрельском сборнике IEEE Electron Device Letters, в статье под заголовком «A graphene field effect device».

 

Создание «углеродного транзистора» - результат работ по программе Alegra, финансируемой немецким правительством. Если удастся интегрировать созданную разработку в кремниевую технологию, потенциал которой, как принято считать, подходит к исчерпанию, отрасль может претерпеть революционные изменения, утверждают в AMO.

 

Примечательно, что для изготовления экспериментального прибора был задействован техпроцесс, совместимый с CMOS.

 

iXBT

 


Адрес новости: http://e-news.com.ua/show/142463.html



Читайте также: Финансовые новости E-FINANCE.com.ua