Epson и Fujitsu обнародовали результаты совместного проекта по созданию нового поколения сегнетоэлектрической памяти (FRAM, Ferroelectric Random Access Memory), начатого в июне позапрошлого года.
Напомним, что в основе нового типа энергонезависимой памяти лежит сегнетоэлектрический эффект, заключающийся в сохранении локальными участками диэлектрической пленки электрической поляризации в отсутствие электрического поля.
В рамках совместного проекта, компании создали технологию формовки, обработки и оценки характеристик новой сегнетоэлектрической пленки, а также технологию производства высокоинтегрированной FRAM – плотность интеграции элементов в четыре раза больше, чем у предыдущего поколения FRAM-чипов. Напомним еще, что сегнетоэлектрический слой может быть добавлен в виде дополнительного этапа обработки полупроводниковых пластин по стандартному КМОП-процессу, что значительно облегчает выпуск чипов нового типа памяти. Также утверждается, что созданные по новой технологии запоминающие устройства обеспечивают высокую надежность – не менее 100 трлн. циклов чтения/записи.
По данным источника, Epson намерена объединить полученные в рамках совместной с Fujitsu работы результаты со своими наработками в области экономичных интегральных микросхем для создания решений, нацеленных на применение в портативных устройствах, питающихся от батарей.
Fujitsu, в свою очередь, намерена сконцентрироваться на массовом производстве чипов по новой технологии с целью сделать FRAM общедоступной. Однако, пока не сообщается, когда же на рынке появятся первые микросхемы с логотипом Fujitsu. Надо отметить, что Fujitsu и Epson придется приложить усилия, чтобы догнать компанию Ramtron (которая является пионером в этой области и в ассортименте которой уже есть 512-Кбит чипы). С другой стороны, конкуренция – это всегда хорошо.
iXBT
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
