• Головна / Main Page
  • СТРІЧКА НОВИН / Newsline
  • АРХІВ / ARCHIVE
  • RSS feed
  • MRAM: энергонезависимая оперативная память для мобильных устройств

    Опубликовано: 2006-07-17 14:01:00

    Компания Freescale Semiconductor выпустила первый в мире чип магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), нового типа энергонезависимой памяти для использования, прежде всего, в мобильных устройствах.

    От флэш-памяти MRAM отличается высоким быстродействием и неограниченным количеством циклов перезаписи. Данные в такой памяти могут храниться в течение 10 лет без подпитки электроэнергией. Микросхема MR2A16A изготовлена с использованием технологии магнитного туннельного перехода (magnetic tunnel junction, MTJ). Первые образцы объемом 512 Кб уже протестированы производителями мобильной техники в качестве замены модулям памяти SRAM, и системы на основе MRAM могут появиться в продаже уже в текущем квартале.

    Инф.  HANDY

     

    e-news.com.ua

    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с E-NEWS.COM.UA активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Деловые новости E-NEWS.COM.UA" обязательна.



    При использовании материалов сайта в печатном или электронном виде активная ссылка на www.e-news.com.ua обязательна.