MRAM: энергонезависимая оперативная память для мобильных устройств

Компания Freescale Semiconductor выпустила первый в мире чип магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), нового типа энергонезависимой памяти для использования, прежде всего, в мобильных устройствах.

От флэш-памяти MRAM отличается высоким быстродействием и неограниченным количеством циклов перезаписи. Данные в такой памяти могут храниться в течение 10 лет без подпитки электроэнергией. Микросхема MR2A16A изготовлена с использованием технологии магнитного туннельного перехода (magnetic tunnel junction, MTJ). Первые образцы объемом 512 Кб уже протестированы производителями мобильной техники в качестве замены модулям памяти SRAM, и системы на основе MRAM могут появиться в продаже уже в текущем квартале.

Инф.  HANDY