Модули оперативной памяти, как энергонезависимой, так и ОЗУ, выпускаются всё с большей ёмкостью и совершенной архитектурой, производители стремятся первыми представить новые решения, обещая сказочную производительность. Лидер индустрии, Samsung, анонсировал 8 Гб модуль R-DIMM в октябре, а на днях компания представила 8 Гб полностью буферизованной памяти FB-DIMM, предназначенной для использования в blade-серверах и системах форм-фактора 1U. Новый модуль состоит из четырёх 2 Гб 80-нм чипов DDR, причём, в будущем возможно создание 16 Гб FB-DIMM. Для быстродействия FB-DIMM применена связь микросхем по типу точка-точка с помощью буферного чипа AMB (Advanced Memory Buffer). Стоимость рекордно ёмкого модуля памяти компания не сообщила.
Для справки скажем, что интерфейс между буфером и микросхемами FB-DIMM такой же, как и в модулях DDR2, на которых и основана память, представленная Samsung, - этот способ связи не претерпел изменений по сравнению с обычными ОЗУ DDR2. Но вот интерфейс между контроллером памяти и буфером уже не параллельный с общим доступом, а последовательный - точка-точка. Этот буфер как раз называется AMB, он принимает команды от контроллера памяти и передаёт их чипам DDR2 по параллельному интерфейсу.
Инф. 3DNews.ru
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
