Samsung представила детали своей технологии OxRRAM, предназначающейся для создания энергонезависимой памяти нового поколения.
OxRRAM (Oxide Resistive Random Access Memory) является развитием технологий резистивной памяти. Размер ячейки OxRRAM, выполненной с соблюдением норм 0,18-мкм техпроцесса, составляет 0,2 кв. мкм, максимальное количество циклов записи – 100, напряжение питания – до 3 В, ток переключения – 2 мА.
Кроме того, как сообщает Ixbt, совместно с Infineon Samsung сообщила о выработке новых подходов к созданию оперативной памяти (DRAM) малых размеров с использованием технологий d-finFET (damascene-finFET, неплоские полевые транзисторы). Более того, Samsung утверждает, что смогла создать по 80-нм d-finFET технологии микросхему DRAM плотностью 512 Мбит.
e-news.com.ua
|
Новости рубрики:
Ноти для аграріїв
Augmentation de la production d'acier en Ukraine : dynamique en avril Sweden supports Ukraine: 28 million euros have been allocated for defense capability TikTok będzie oznaczać obrazy i filmy wygenerowane przez sztuczną inteligencję Ukrenergo : plans pour 2024 et résolution des problèmes du marché d'équilibrage Coffeeshop-Markt in der Ukraine: 35 % Wachstum im April 2024 Weapons for protection: Ukraine expands access to the soft lending program USAID надає понад $190 млн для підтримки енергетичного сектора України |