«Да здравствует флэш-память!» – примерно так можно охарактеризовать общее настроение, под которым проходило мероприятие Flash Memory Summit. По мнению большинства выступавших специалистов, в настоящее время флэш-память, а в особенности – NAND, имеет все шансы прогрессировать еще, как минимум, на протяжении трех поколений, практически не имея реальных конкурентов на роль «универсальной памяти» в обозримом будущем. При этом, как ожидается, масштабы технологий, применяемых для реализации NAND-памяти, могут быть сокращены, по крайней мере, до 20 нм.
Такие перспективы развития NAND-памяти, по всей видимости, позволят ей сохранить рынок в конкуренции с «альтернативными» технологиями, такими как FeRAM, MRAM, OUM и т.д., в свое время рассматриваемыми как кандидаты на использование в качестве «универсальной памяти» и замены NAND-флэш, но в действительности скорее не оправдавшими изначально возлагавшихся на них надежд.
Так, например, MRAM, начало отгрузок которой недавно анонсировала Freescale Semiconductor, потребовала весьма значительного времени на доведение до состояния коммерческого продукта, и даже после этого не претендует на замену флэш-памяти во всем ее диапазоне применений, ограничиваясь, по крайней мере, пока, ролью встраиваемой памяти. Ovonic unified memory (OUM), известная также как память с изменением фазового состояния, по мнению специалистов, не получит коммерческих реализаций еще примерно лет 10. FeRAM, как ожидается, займет некоторое место на рынке, но будет далека от первоначальных ожиданий. По материалам eetimes.com
Инф. 3DNews
e-news.com.ua
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
.jpeg)
