Новая технология производства полупроводников

Команда учёных Вестфальского университета (Германия) сделала очень важное открытие, которое позволит усовершенствовать технологию производства интегральных схем.

Исследователи получили новое соединение, состоящее из серебра, теллура и брома, которое изменяет свои характеристики в трёх чётко температурных точках: 290, 317 и 390 кельвинов. В этих точках происходит переход из состояния дырочной проводимости к электронной проводимости и обратно.

Эти сдвиги концентрации носителей заряда объясняются изменениями структуры соединения при повышении температуры, когда часть ионов теллура образует подвижные цепочки, с которыми связываются затем ионы серебра.

Также интересными оказались и тепловые характеристики соединения. В частности, при температуре от 355 до 410 кельвинов новый материал способен поглощать значительное количество теплоты. При этом температуропроводность вещества очень низкая, а скорость изменения термоЭДС под воздействием температуры, наоборот, очень высокая.

Новое соединение уже сейчас можно использовать при конструирования транзисторов в интегральных схемах, где раньше требовалось два различных вещества, но учёные надеются, что область применения в будущем будет гораздо шире.

 

---
Полупроводники — вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения.

Текст:
Э. Яров

ЕВРОСМИ.RU