Корейская исследовательская группа, работающая под руководством профессора Хванг Хёнг-санга (Hwang Hyeon-sang) в Гвангьюйском (Gwangju) институте науки и технологии, сообщила о создании принципиально новых технологий для энергонезависимой памяти Re RAM (resistance random access memory). Проект ведётся по программе Next-generation Non-volatile Memory Development правительства Кореи, а последние результаты исследований были представлены на днях на конференции в Вашингтоне, США.

 

Разработки корейских учёных включают материал, предназначенный для хранения данных, кристалл SrTIO3 (стронций-титан-кислород) и технологию обработки поверхности, сохраняющую характеристики материала. По словам профессора, память нового поколения позволит хранить данные больше 10 лет и обеспечит 10 млн. циклов записи. Re RAM позволит существенно поднять планку в быстродействии и ёмкости, на голову превзойдя сегодняшнюю mainstream память. Ожидать же появление Re RAM на рынке можно уже через 2-3 года.

 

Кроме Кореи, над Re RAM работают сейчас такие крупные компании, как IBM, Sharp и Samsung, однако о сколько-нибудь успешных достижениях производители не сообщают. Впрочем, раз наработки на Re RAM родом из Кореи, то, вероятно, технологии могут достаться и Samsung, тем более, что последняя сегодня лидер в индустрии памяти.

 

Инф. 3DNews.ru