AMD и IBM объявляют о новой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния

Передовая разработка позволяет повысить производительность и снизить энергопотребление одно- и многоядерных процессоров будущего 13 декабря, 2004 - AMD и IBM объявили о разработке новой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния, позволяющей повысить производительность и снизить энергопотребление процессоров. Новый технологический процесс обеспечивает 24-процентный рост скорости срабатывания транзисторов при сохранении напряжения питания. Более быстрые и экономичные транзисторы будут применяться для создания более высокопроизводительных процессоров с пониженным энергопотреблением. Чем меньше размер транзистора, тем выше скорость его работы, однако тем серьезнее и опасность подачи повышенного напряжения и перегрева из-за утечки электроэнергии или несовершенства системы коммутации. Напряженный кремний, совместно разработанный компаниями AMD и IBM, позволяет устранить эту опасность. Благодаря новой технологии AMD и IBM стали первыми компаниями в мире, представившими напряженный кремний, который может применяться с технологией размещения кремния на изоляторе (SOI), что позволяет обеспечить дополнительное быстродействие и экономию электроэнергии. AMD планирует постепенно перевести на новую технологию напряженного кремния все процессорные платформы с технологическим процессом на 90 нм, включая процессоры AMD64, которые будут выпускаться в будущем. AMD планирует выпустить первые процессоры AMD64 с технологическим процессом на 90 нм в первой половине 2005 г. Корпорация IBM планирует применять новую технологию при производстве различных процессоров с технологическим процессом 90 нм, включая процессоры архитектуры Power. Новые процессоры должны поступить в продажу в первой половине 2005 г. Инф. Rlocman