International Rectifier анонсировала чипсет для мощных многофазных понижающих DC/DC конверторов

Корпорация International Rectifier анонсировала чипсет для синхронных понижающих конверторов на МОП-транзисторах в корпусах DirectFETTM. Новый чипсет ориентирован на применение в высокочастотных сильноточных DC/DC конверторах источников питания процессоров компаний Intel и AMD предназначенных для high-end десктопов, серверов и продвинутых телекоммуникационных систем и истем передачи данных. Например 5-фазный конвертор с выходным током 130А на новых транзисторах IRF6619 и IRF6633 имеет малые размеры и обеспечивает КПД 85%.

Чипсет IRF6619, IRF6633 заменяет четыре МОП-транзистора в стандартных корпусах D-Pak в каждой фазе устройств питания процессоров, сокращая число компонентов наполовину и на 50% снижая занимаемую площадь на печатной плате, что повышает объемную плотность энергии в рабочих станциях и серверах.

IRF6619 является идеальным МОП-транзистором для ключа синхронного выпрямления, так как он имеет чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (1.65 мОм при 10В на затворе и 2.2мОм при 4.5В) в сочетании с низким зарядом обратного восстановления 22нК. Он нормирован на ток 150А (при25°С) и напряжение сток-исток 20В. IRF6619 размещен в корпусе типа MX (средний типоразмер корпуса DirectFET) занимающем на плате ту же площадь, что и стандартный корпус SO-8, но имеющем высоту корпуса всего 0.7мм.

IRF6633 лучше всего подходит на роль управляющего ключа, поскольку имеет очень низкий заряд затвора и заряд Миллера величиной всего 4нК, что позволяет сократить более чем на 43% время перехода во включенное состояние по сравнению с лучшими 20-вольтовыми транзисторами на рынке. Он нормирован на ток 59А (при25°С) и сопротивление открытого канала 5.6мОм (10В)/9ю4мОм(4.5В). Комплексный показатель качества IRF6633, учитывающий сопротивление открытого кнала и заряд затвора составляет 38мОм*нК. IRF6633 размещен в корпусе DirectFET типоразмера MP с профилем 0.7мм, занимающем такую же площадь как корпус SO-8. Запатентованные корпуса DirectFET предоставляют недоступные ранее при применении стандартных пластмассовых корпусах возможности. Конструкция металлической крышки DirectFET обеспечивает эффективный двусторонний отвод тепла с корпуса, удватвающий нагрузочную способность по току высокочастотных понижающих DC/DC конверторов, питающих микропроцессоры новых поколений.

Источник Радио Лоцман