Транзисторы готовы взять барьер 1 ТГц

Может быть, заявления о разработке «самых быстрых в мире транзисторов» и поступают слишком часто для того, чтобы каждый раз рассказывать об установлении очередного рекорда, однако на этот раз все обстоит иначе, поскольку достижение действительно значительное. Дело в том, что американским ученым из университета штата Иллинойс, что расположен в городках Урбана и Шампейн, удалось увеличить частоту работы транзисторов сразу «примерно на 300 ГГц» (по сравнению с разработками других исследователей) и достигнуть показателя 845 ГГц.

 

Таким образом, «священный Грааль» (то есть барьер 1 терагерц) оказался теперь, можно, сказать, в пределах прямой видимости. В дополнение к некоей «псевдоморфичной» архитектуре ученые использовали для создания новых транзисторов еще более миниатюрные чем раньше компоненты с целью «уменьшения расстояния, которое приходится проходить электронам, что привело к увеличению скорости работы». Кстати, при комнатной температуре новые чипы могут работать на частоте «всего лишь» около 765 ГГц, а максимальные 845 ГГц достигаются при охлаждении транзисторов до -55 градусов по Цельсию. Ученые вполне довольны достигнутыми результатами, однако, само собой, не полностью ими удовлетворены. Что ж, будем надеяться, что в скором времени им удастся побить свой собственный рекорд и преодолеть заветный барьер 1 ТГц.

 

Мobiledevice