За пределами силикона: новые транзисторные технологии от Массачусетского технологического института

Ученые Массачусетского технологического института продемонстрировали технологию, которая может стать новой важной фазой в эволюцию микроэлектроники, которая уже представила миру iPodы, портативные компьютеры  и много других изобретений.

 

«Если мы как можно скорее не представим какое-нибудь оригинальное решение, революция микроэлектроники, которая обогащала нашу жизнь различными способами, может потерепеть фиаско», -  заявил исследователь дель Амо (del Alamo), специалист в электронной инженерии. 

 

Инженеры пришли к выводу, что в течение 10-15 лет электронная инженерия может исчерпать все свои возможности. В результате, лаборатория Аламо и многие другие во всем мире работают над новыми материалами и технологиями, которые могут превзойти возможности силикона. «Мы ищем полупроводниковые материалы для транзисторов, которые будут продолжать улучшать качество передачи, в то время как сами приспособления будут становиться все меньше и меньше», - отметил дель Амо.

 

Один из таких материалов, над исследованием свойств которого работают дель Аламо и его студенты в университете,  - семья индиево-арсенид-галлиевых полупроводников.

 

Группа дель Амо недавно продемонстрировала это путем конструирования  InGaAs транзисторов, которые проводят в 2,5 раза больше тока, чем современные силиконовые приспособления. К тому же, каждый InGaAs транзистор длиной всего лишь 60 нанометров, или миллиардных метра.  Это очень напоминает самую продвинутую 65-нанометровую силиконовую технологию, доступную сейчас в мире.

 

«60-нанометровый InGaAs-транзистор с квантовыми ямами, продемонстрированный профессором и его группой,  потребляет удивительно мало энергии (например, 0,5 Вольт)»,  - говорит Роберт Чау (Robert Chau), старший сотрудник и директор исследований транзисторных систем  и нанотехнологий в Intel, компании, которая поддерживает исследование.

 

Дель Амо отмечает, что транзисторная технология до сих пор находится в «детском» возрасте. Единственным спорным вопросом является изготовление  транзисторов в большом количестве, поскольку  InGaAs более склонен ломаться, чем силикон.

 

«Если потрудиться, технология полупроводников может превзойти силиконовую и позволить нам продолжить микроэлектронную революцию на годы вперед»,  - заявил дель Аламо.