Быстрая память PRAM на антимониде германия

Как сообщает источник, сегодня, в ходе конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), три компаний во главе с IBM (IBM, Macronix и Qimonda) представят прототип памяти PRAM (использующей для записи бит данных эффект изменения локальной фаз), работающей в 500 раз быстрее традиционной флэш-памяти.

 

Компания Qimonda, входящая в это трио, известна своими амбициозными планами по освоению норм 58-нм технологического процесса для оперативной памяти. Об этом компания также должна будет рассказать в ходе IEDM. Что касается PRAM, то размер ячейки составляет 3х20 нм и потребляет вдвое меньше электроэнергии (надо полагать, по сравнению с флэш-памятью) при записи данных.

 

Что касается PRAM, то размер ячейки составляет 3х20 нм и потребляет вдвое меньше электроэнергии (надо полагать, по сравнению с флэш-памятью) при записи данных. Очевидно, что такая PRAM будет массово доступна с внедрением 22-нм технологий, то есть, не раньше 2012-2015 года. Удивительно, что при таких наноскопических размерах удается выделить локальную область, в которой полупроводник существует либо в упорядоченной кристаллической, либо в неупорядоченной фазе.

 

К слову сказать, в PRAM IBM, Macronix и Qimonda использован не традиционный кремний, а антимонид (сурьмид) германия (GeSb), впрочем, легированный традиционными для генерации носителей зарядов добавками.

 

iXBT